美光发布第五代3D NAND闪存 堆叠达到176层

闪存峰会召开之际，美光也发布了该公司的第五代 3D NAND 闪存，可知其创下了 176 层的堆叠纪录。作为与英特尔分手后开发的第二代产品，美光已将存储单元设计从浮栅改成了电荷陷阱方案。之所以在上一代的 3D NAND 中采用了 128 层的过渡节点，也是该公司希望借此搞定技术切换可能遇到的任何问题。

据悉，美光的 128 层 3D NAND 在市面上的占有率极地。因此在很大程度上，最新一代的 176 层 3D NAND 将直接取代 96 层的版本。

目前已知的是，美光首批 176 层 3D NAND 采用了将双 88 层融合到一起的设计（堆叠 512Gbit TLC 闪存）。至于更多细节，还请耐心等到本月下旬。

换用电荷陷阱存储单元的方案，似乎也极大地降低了每一层的厚度。目前的 176 层裸片仅为 45 μm，与美光的 64 层浮栅 3D NAND 相同。

16 管芯堆叠式封装的厚度不到 1.5 mm，适用于大多数移动 / 存储卡使用场景。此外与上一代美光 3D NAND 一样，芯片外围的大部分逻辑组件，也是通过阵列下 COMS（简称 CuA）工艺制造的。

结合两方面的优势，美光预估其 176 层 512Gbit 裸片的厚度，将较三星等竞争对手再精简 30% 左右。性能方面，其支持 1600 MT/s 的接口，高于 96 / 128 层 3D NAND 的 1200 MT/s 。

读写延迟方面，分别较 96 / 128 层 NAND 改善了 35% / 25% 以上。总体混合工作负载方面，176 层 3D NAND 也较 96 层 UFS 3.1 模组领先 15% 左右。

最后，美光现已开始 176 层 3D NAND 的量产，首批颗粒已在英睿达（Crucial）品牌的消费级 SSD产品中得到使用。

尽管美光尚未披露有哪些型号已在使用（大部分还是 128 层），但我们有望在明年迎来更多 3D NAND 存储芯片替换。