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美光发布第五代3D NAND闪存 堆叠达到176层

2020-11-13 09:30:25 来源:互联网 阅读:0

闪存峰会召开之际,美光也发布了该公司的第五代 3D NAND 闪存,可知其创下了 176 层的堆叠纪录。作为与英特尔分手后开发的第二代产品,美光已将存储单元设计从浮栅改成了电荷陷阱方案。之所以在上一代的 3D NAND 中采用了 128 层的过渡节点,也是该公司希望借此搞定技术切换可能遇到的任何问题。

美光发布第五代3D NAND闪存 堆叠达到176层

据悉,美光的 128 层 3D NAND 在市面上的占有率极地。因此在很大程度上,最新一代的 176 层 3D NAND 将直接取代 96 层的版本。

目前已知的是,美光首批 176 层 3D NAND 采用了将双 88 层融合到一起的设计(堆叠 512Gbit TLC 闪存)。至于更多细节,还请耐心等到本月下旬。

美光发布第五代3D NAND闪存 堆叠达到176层

换用电荷陷阱存储单元的方案,似乎也极大地降低了每一层的厚度。目前的 176 层裸片仅为 45 μm,与美光的 64 层浮栅 3D NAND 相同。

16 管芯堆叠式封装的厚度不到 1.5 mm,适用于大多数移动 / 存储卡使用场景。此外与上一代美光 3D NAND 一样,芯片外围的大部分逻辑组件,也是通过阵列下 COMS(简称 CuA)工艺制造的。

美光发布第五代3D NAND闪存 堆叠达到176层

结合两方面的优势,美光预估其 176 层 512Gbit 裸片的厚度,将较三星等竞争对手再精简 30% 左右。性能方面,其支持 1600 MT/s 的接口,高于 96 / 128 层 3D NAND 的 1200 MT/s 。

读写延迟方面,分别较 96 / 128 层 NAND 改善了 35% / 25% 以上。总体混合工作负载方面,176 层 3D NAND 也较 96 层 UFS 3.1 模组领先 15% 左右。

美光发布第五代3D NAND闪存 堆叠达到176层

最后,美光现已开始 176 层 3D NAND 的量产,首批颗粒已在英睿达(Crucial)品牌的消费级 SSD产品中得到使用。

尽管美光尚未披露有哪些型号已在使用(大部分还是 128 层),但我们有望在明年迎来更多 3D NAND 存储芯片替换。


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